国际动态
美媒：美国政府将禁止供应商向华为提供任何产品
环球时报报道，知情人士透露，美国政府正在考虑切断美国供应商与中国华为公司之间的所有联系，禁止包括英特尔和高通在内的美国供应商向华为提供任何产品。
报道称，美国一些官员向拜登政府提出了这一建议，若这项政策获得通过，所有美国供应商向华为供货的许可证申请都将被拒绝。知情人士称，这项政策还处于早期讨论阶段，有可能在5月时获得通过，即美国将华为加入“实体清单”四周年之时。
有3名知情人士称，美国政府已停止向美国企业发放向华为出口产品的供货许可证，包括5G级别以下的物品，如4G、Wifi6和Wifi7、人工智能以及高性能计算和云项目。对此美国商务部发言人仅表示，将“不断评估我们的政策和法规”，而英特尔和高通都拒绝置评。
美国加强与印度在半导体领域合作
美国半导体行业协会（SIA）和印度电子和半导体协会（IESA）今天联合宣布计划成立一个私营部门工作组，以加强两国在全球半导体生态系统中的合作。
工作组的具体目标包括：制定有关印度半导体生态系统的“准备情况评估”；汇集行业、政府和学术利益相关者，以确定近期的行业机会并促进互补半导体生态系统的长期战略发展；就提升印度在全球半导体价值链（包括芯片制造）中的作用的机遇和挑战提出建议；确定并促进劳动力发展和交流机会，使两国受益。
AMD预计PC市场将在年下滑10%
AMD称，预计个人电脑（PC）市场将在年下滑10%；整体需求将在年下半年变得更加强劲；预计年将在数据中心业务方面扩大销售和市场份额；预计云客户的库存增加；预计年上半年调整后毛利润率“持平”，下半年将有所扩张。
国内动态
华润微：重庆园区8英寸晶圆月产量达6.5万片
据重庆日报报道，华润微电子重庆园区内每个月都有约6.5万片8英寸晶圆下线，广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子等领域。华润微电子重庆12英寸晶圆制造生产线以及先进功率封测基地实现通线后，进一步提高园区产能。此外，公司表示，华润微电子还将积极谋划8英寸宽禁带半导体的布局。
外交部回应荷兰限制对华出口半导体设备
外交部发言人毛宁1月31日主持例行记者会。有记者提问，荷兰此前已经禁止了阿斯麦公司的一些产品向中国出口，现在该公司还停止向中国出售深紫外线光刻机，想请问中方对此有何评论？此举对中国和荷兰的关系会有什么影响？
毛宁表示，1月30日秦刚外长同荷兰副首相兼外交大臣胡克斯特拉通电话，就双边关系等问题深入交换了意见。秦刚外长指出，开放务实是中荷关系的最大特色，双方要共同维护国际产业链、供应链稳定，维护开放而非分裂，有序而非混乱的国际贸易环境。胡克斯特拉副首相兼外交大臣表示，荷方愿推动两国开放、务实的全面合作伙伴关系不断发展，将继续以负责任的方式处理对华经贸事宜。
EDA国创中心落地南京江北新区
科技部正式批复同意国家集成电路设计自动化技术创新中心（以下简称“EDA国创中心”）在南京建设，落地江北新区。1月28日，在南京举办的新春第一会上，EDA国创中心对外发布建设愿景，将聚力打造国内集成电路EDA技术策源地、产品示范地和人才汇聚地。
EDA国创中心落地后，将汇聚全国优势科研力量、创新体制机制，开展核心技术攻关、建设人才培养体系，力争在五年内，打通EDA产业-学术合作机制和枢纽，打造我国集成电路EDA技术策源地、产品示范地和人才汇聚地。近期，EDA国创中心将围绕举办第一届理事会、布局智能EDA项目、开展“揭榜挂帅”项目攻关、举办IEEE国际会议ISEDA和第五届EDA专业竞赛等推动建设工作。
深圳龙岗挂牌8.67万平产业地，拟建国家第三代半导体技术创新中心
1月29日，深圳市龙岗区平湖街道挂牌一宗普通工业用地，宗地号为G-，土地面积8.67万平方米，建筑面积10.50万平方米，起始价万元，宗地将于2月27日出让。根据出让合同，宗地规定的10.50万平的建筑面积，其中食堂1万平及厂房9.5万均不得转让。宗地须自《出让合同》签订之日起1.5年内开工，4年内竣工。
据悉，本次挂牌宗地位于平湖街道新厦大道33号，宗地产业准入行业为C半导体分立器件制造，将建设国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台。
产业政策
北京年将着力推动国际科技创新中心建设
北京市计划报告全文发布，计划中提到年将持续提升高端制造业发展能级。狠抓传统产业改造升级和战略性新兴产业培育壮大，扎实推进高精尖产业集群建设，提升产业链供应链韧性和安全水平。
推动实现高水平科技自立自强。发挥好政府在关键核心技术攻关中的组织作用，突出企业科技创新主体地位，集聚力量进行原创性引领性科技攻关。北京经济技术开发区承接“三城”科技成果转化项目项以上，顺义加快第三代半导体产业集聚。
持续提升高端制造业发展能级。狠抓传统产业改造升级和战略性新兴产业培育壮大，扎实推进高精尖产业集群建设，提升产业链供应链韧性和安全水平。提升新一代信息技术发展动能，加强集成电路系列重要研发产业项目建设，实现小米智能工厂二期投产、京东方北京6代线开工。围绕基础软件、工业软件等重点领域开展科技攻关，通过“揭榜挂帅”等方式支持一批关键软件产品研发。
江苏省出台政策促进集成电路高质量发展最高给予万元资金支持
江苏省政府日前印发《关于进一步促进集成电路产业高质量发展的若干政策》（以下简称《若干政策》），提出提升产业创新能力、提升产业链整体水平、形成财税金融支持合力、增强产业人才支撑、优化发展环境等5个大类26条具体措施。
《若干政策》提出，对新获批的全国重点实验室，江苏省科技计划专项资金连续5年每年给予不低于万元资金支持；对新获批的国家级技术创新中心，江苏省科技计划专项资金给予不超过万元资金支持。对新获批的国家级制造业创新中心，省、市、县（市、区）给予联动支持，江苏省工业和信息产业转型升级专项资金给予不低于万元资金支持。鼓励研发制造集成电路产业高端装备，支持集成电路企业优先采用国产装备建设国家级和省级智能制造示范工厂、示范车间以及工业互联网标杆工厂和星级上云企业等，符合条件的给予资金支持。通过政府购买服务，为集成电路中小企业开展智能制造免费诊断服务，推行智能制造顾问制度，帮助企业提供解决方案。支持企业围绕高端化、智能化、绿色化、服务化方向实施技术改造，对符合条件的最高给予万元资金支持。
产研前线
在固态体系首次实现高保真度量子受控非门
从中国科学技术大学获悉，该校中国科学院微观磁共振重点实验室杜江峰、石发展等人，基于金刚石氮—空位（NV）色心量子比特实现了保真度99.92%的量子CNOT门（量子受控非门）。该项研究成果日前发表在《物理评论快报》上。
研究团队通过对噪声的细致测量，建立了一个准确且完整的噪声模型，其中包括静态噪声、含时噪声以及量子噪声。基于动力学纠错的思想，研究人员对形状脉冲进行了精巧的设计，使其能抵抗噪声模型中的各种磁噪声，最终将磁噪声对CNOT门的影响降低了两个数量级，降至10的负4次方以下。实验中，研究人员测得形状脉冲实现的CNOT门保真度为99.（7）%，并分析得知，剩余错误主要来自形状脉冲的失真以及电子自旋的纵向弛豫。这二者皆可在技术上被进一步消除，因此未来有望将CNOT门保真度进一步提高到99.99%以上。
该研究给出的方法是通用的，可进一步推广至其他固态体系，如硅量子点、金刚石和碳化硅中的其他缺陷、稀土掺杂系统等。